688362甬矽电子上市时间，甬矽电子什么时候上市以及行业发展趋势

　　【()、】(宁波)股份有限公司的主营业务为集成电路封装和测试方案开发、不同种类集成电路芯片的封装加工和成品测试服务，以及与集成电路封装和测试相关的配套服务。最近发布了在上证科创板上市的消息，那么具体甬矽电子上市时间是什么时间呢，接下来我们具体看一下。

　　根据目前新股上市的规则，通常情况下新股申购完成后，一般过8-14天(自然日)上市交易，甬矽电子申购的时间是11月7日，那么根据计算可得甬矽电子上市时间可能会在11月17日-11月21日。之后也会出现延迟上市的情况，一般不会超过14天的样子。在新股中签之后，投资者只需要保证账户当中有足够的申购资金就可以了，接下来就是耐心等待甬矽电子正式上市交易吧。

　　甬矽电子行业发展趋势

　　1、集成电路进入“后摩尔时代”，先进封装作用突显

　　在集成电路制程方面，“摩尔定律”认为集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔 18-24 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。长期以来，“摩尔定律”一直引领着集成电路制程技术的发展与进步，自 1987 年的 1um 制程至 2015 年的 14nm 制程，集成电路制程迭代一直符合“摩尔定律”的规律。但 2015 年以后，集成电路制程的发展进入了瓶颈，7nm、5nm、3nm 制程的量产进度均落后于预期。随着台积电宣布 2nm 制程工艺实现突破，集成电路制程工艺已接近物理尺寸的极限，集成电路行业进入了“后摩尔时代”。 “后摩尔时代”制程技术突破难度较大，工艺制程受成本大幅增长和技术壁垒等因素上升改进速度放缓。根据市场调研机构 IC Insights 统计，28nm 制程节点的芯片开发成本为 5,130 万美元，16nm 节点的开发成本为 1 亿美元，7nm 节点的开发成本需要 2.97 亿美元，5nm 节点开发成本上升至 5.4 亿美元。由于集成电路制程工艺短期内难以突破，通过先进封装技术提升芯片整体性能成为了集成电路行业技术发展趋势。

　　2、先进封装将成为未来封测市场的主要增长点

　　随着 5G 通信技术、物联网、大数据、人工智能、视觉识别、自动驾驶等应用场景的快速兴起，应用市场对芯片功能多样化的需求程度越来越高。在芯片制程技术进入“后摩尔时代”后，先进封装技术能在不单纯依靠芯片制程工艺实现突破的情况下，通过晶圆级封装和系统级封装，提高产品集成度和功能多样化，满足终端应用对芯片轻薄、低功耗、高性能的需求，大幅降低芯片成本。，先进封装在高端逻辑芯片、存储器、射频芯片、图像处理芯片、触控芯片等领域均得到了广泛应用。根据市场调研机构 GIA 统计数据，中国先进封装市场规模到 2026 年将达到 76 亿美元，年复合增长率为 6.2%，相比于其他国家增长最快。根据市场调研机构 Yole 预测数据，全球先进封装在集成电路封测市场中所占份额将持续增加，2019 年先进封装占全球封装市场的份额约为 42.60%。 2019 年至 2025 年，全球先进封装市场规模将以 6.6%的年均复合增长率持续增长，并在 2025 年占整个封装市场的比重接近于 50%。与此，Yole 预测 2019 年至 2025 年全球传统封装年均复合增长率仅为 1.9%，增速远低于先进封装。

　　3、系统级封装（SiP）是先进封装市场增长的重要动力

　　系统级封装可以把多枚功能不同的晶粒（Die，如运算器、传感器、存储器）、不同功能的电子元器件（如电阻、电容、电感、滤波器、天线）甚至微机电系统、光学器件混合搭载于同一封装体内，系统级封装产品灵活度大，研发成本和周期远低于复杂程度相同的单芯片系统（SoC）。以 2015 年美国知名企业推出的可穿戴智能手表为例，其采用了日月光的系统级封装，将 AP 处理器、SRAM 内存、NAND 闪存、各种传感器、通讯芯片、功耗管理芯片以及其他被动电子元器件均集成在一块封装体内。

　　通过系统级封装形式，此可穿戴智能产品在成功实现多种功能的，还满足了终端产品低功耗、轻薄短小的需求。根据市场调研机构 Yole 统计数据，2019 年全球系统级封装规模为 134 亿美元，占全球整个封测市场的份额为 23.76%，并预测到 2025 年全球系统级封装规模将达到 188 亿美元，年均复合增长率为 5.81%。

　　4、高密度细间距凸点倒装产品（FC）类产品在移动和消费市场发展空间较大

　　所谓“倒装”是相对于传统的金属线键合连接方式（Wire Bonding，WB）而言的。传统 WB 工艺，芯片通过金属线键合与基板连接，电气面朝上；倒装芯片工艺是指在芯片的 I/O 焊盘上直接沉积，或通过 RDL 布线后沉积凸点（Bumping），然后将芯片翻转，进行加热，使熔融的焊料与基板或框架相结合，芯片电气面朝下。与 WB 相比，FC 封装技术的 I/O 数多；互连长度缩短，电性能得到改善；散热性好，芯片温度更低；封装尺寸与重量也有所减少。与应用 FC 技术的 SiP 芯片不同，FC 芯片的沉积凸点（Bumping）更多，密度更大，大大减小了对面积的浪费。相比应用 FC 技术的 SiP 芯片来说，FC 芯片有着诸多的优势，比如更小的封装尺寸与更快的器件速度。

　　了解过甬矽电子上市时间的相关内容，我们来看看新股的涨停知识。

　　上涨规则

　　目前实行的关于新股上市首日涨跌幅的限制是在2014年1月1日后实行的，股价最高涨幅为发行价44%。

　　根据上交所规定，新股上市首日集合竞价进行申报的价格有效区间是下不得低于发行价格的80%，上不能高于发行价120%；在连续竞价进行申报有效价格区间是下不得低于发行价格64%，上不能高于发行价格的144%。这就是对于新股上市首日涨跌幅限制的具体内容。还做出了其他的规定在盘中价格涨跌幅达到10%的时候，出现临时停牌30分钟，涨跌幅达到20%的时候，停牌当日的下午2点55分。

　　和上交所不同的是，深交所在首日收盘的时候，不是集合竞价而是集合定价，以下午2点57分成交价为定价，根据时间来对于申报进行一次性的集中交易。在新股涨跌幅达到10%，停牌30分钟；达到20%的时候，停牌到到当日下午2点57分。

　　科创板新股上市的前五个交易日是没有涨跌幅限制的，但交易所设置了新股上市前5日的盘中临时停牌机制，即在盘中成交价格较当日开盘价上涨或下跌达到30%、60%时，分别停牌10分钟。甬矽电子首日上涨规则符合这一规定。

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