美光科技(MU)：将于2030年前在美建造尖端存储器制造厂 投资150亿

　　当地时间周四，美光科技(MU)宣布计划于2030年之前投资150亿美元，在美国爱达荷州博伊西（Boise）建造一座新的尖端存储器制造厂。

　　据悉，这将是20年来在美国本土新建的第一家内存芯片制造工厂，也是爱达荷州有史以来最大的私人投资项目。美光表示，公司将重点为美国本土市场的汽车和数据中心等行提供内存芯片。

　　这是美光在《芯片法案》通过后计划在美国进行的多项投资中的第一项，也是该公司未来十年在全球投资超1500亿美元用于制造和研发计划的一部分，其中包括在2030年前投资400亿美元，在美国分多个阶段建立内存制造厂。

　　美光在一份声明中表示，将新的制造工厂与该公司总部的研发中心建造在同一地方，将提高运营效率，加速技术部署，并缩短上市时间。不过，美光没有提供新工厂产能或将生产何种芯片的详细信息。