又一项打破日垄断：关键性堪比光刻机，国产化重大机遇开启

      芯片生产过程是芯片制造的关键环节之一，可分为芯片设计、芯片制造和芯片封装三个部分。芯片制造是最核心的步骤之一，涉及到各种顶尖技术、设备和材料。

　　任何细节之上的错误都可能影响芯片制造的效果。众所周知，光刻技术在芯片生产之中是非常重要的，但实际上，芯片制造之中的关键技术之一也包括光刻胶。

　　在集成电路制造领域，光刻被称为推动工艺技术进步的“引擎”，光刻胶是“燃料”。

　　未来几年，随着中芯国际等晶圆厂进入产能扩张阶段，高端光刻胶的本地化换代迎来重要窗口。

　　12月17日晚，南达宣布，其控股子公司宁波南达光电材料有限公司自主研发的ARF光刻胶产品。，宁波南达光电有限公司（下列简称“宁波南达光电”）近日成功通过客户认证，可用于90nm-14nm甚至7Nm技术节点。

　　“ARF光刻胶产品开发及产业化”是宁波北都光电承担国家“02专项”的重点项目。该产品的认证标志着“ARF光刻胶产品开发及产业化”项目取得了重大突破，成为国内首个通过产品验证的国产ARF光刻胶。

　　光刻胶是半导体芯片制造过程之中的核心材料之一。光刻胶经紫外光、电子束等辐照之后，其化学性质发生变化。冲洗显影剂之后，图案将保留在基材之上。光刻胶分为KrF（248nm）、ARF（193nm）和EUV（13.5nm）。括号之内的值是曝光光源的波长。　　先进的高分辨率KrF和ARF半导体光刻胶占全球半导体光刻胶的63%。核心技术也被日美企业垄断。日本制造商占KrF光刻胶市场份额的83%，占ARF光刻胶市场份额的91%。

　　在EUV光致抗蚀剂方面，日本富士薄膜、信越化学和住友化学在专利方面排名前三，前十名企业之中有7家被日本企业占据。日本光刻胶企业在全球光刻胶市场占据绝对主导地位。　　

      现在南大已经突破了关键芯片材料，打破了日本的技术垄断，与光刻机的关键不相上下。虽然高端芯片的生产还有很长的路要走，每一项技术突破都是为未来高端芯片的生产打下基础。　　

      芯片设计包括华为海思，芯片制造包括之中芯国际，芯片材料包括南达光电，以及光刻设备制造和上海微电子。

　　有这么多顶尖的科技力量，我相信我们将来可以在更多的关键技术之上迎来突破。