光刻机光刻胶题材股(002584生物医药)

炒股入门 2023-02-03 12:40炒股入门知识www.xyhndec.cn
  • 永太科技是光刻机概念股吗?
  • 生产光刻胶 的,目前有股票的上市公司。
  • 什么是su-8光刻胶
  • 光刻胶的分类
  • 光刻机是什么意思
  • 世界上能做出高端光刻机的国家有哪些
  • 上海微电子装备的光刻机能达到什么水平?
  • 1、永太科技是光刻机概念股吗?

    永太科技属于光刻胶概念股
    低佣金 私信

    2、生产光刻胶 的,目前有股票的上市公司。

    飞凯材料
    300398

    3、什么是su-8光刻胶

    摘要:对基于SU28 胶的UV2L IGA 技术进行了工艺优化,研究了光源波长和曝光时
    间对SU28 胶成型的影响。结果表明,光刻胶表面线宽变化随曝光时间增加先减少
    后增加,有一个极小值;侧壁角度先增加后减少, 有一个极大值。通过优化光源波
    长、曝光时间以及显影时间三个主要工艺参数,可以获得侧壁角度为90164 °正角的
    300μm 厚光刻胶微结构和侧壁角度为89198 °近似垂直的500μm 厚光刻胶微结构。
    SU28 胶是一种在微机电系统(MEMS)
    中广泛应用的负性厚光刻胶[1 ] 。由于SU28
    胶光敏性较好,吸收系数也较小,几百微
    米厚的SU28 胶进行紫外光刻,在较短的时
    间内即可达到曝光剂量的要求,而且厚胶内
    的曝光剂量也比较均匀[2 ] 。它几乎应
    用到了MEMS 的各个方面,例如作为塑性机
    械结构、微模具、微流体器件的微通道结构等
    等[3 - 5 ] 。
    由于SU28 胶可以用紫外光进行光刻,
    光刻厚度达数百微米,可部分取代L IGA 技
    术中的同步辐射X 光光刻工艺,这大大降低
    了L IGA 技术的成本。目前利用常规的紫外
    曝光工艺,文献报道的最大高深宽比值为
    18[6 ] ,而对于高深宽比圆柱结构而言,所获得
    的深宽比还不超过10[5 ] 。在本实验中通过
    优化工艺参数得到了深宽比为20 的微圆柱
    结构。衡量高深宽比微结构有两个重要的参
    数:线宽变化和倾角角度。前者关系到所做
    图形的可控性和精确性,而后者则关系到其
    后期作为模具的可行性。在现有对于SU28
    胶的研究中,人们对于表面线宽的控制已经
    达到了一定的精确度[7 ] 。对于高深宽比
    的SU28 胶来说,由于其胶厚很厚(100μm~
    1 200μm) ,底部和顶部的感光量必定有差
    值,要保证表面线宽变化很小,往往会造成底
    部由于曝光不足而出现倒角现象( T2) 。
    尤其在300 μm 以上的胶厚中,这种现象更
    为明显,而且这给之后将其作为模具以及电
    镀金属模具之后的脱模带来困难。现在已经
    有了一些消除倒角的方法,如灰度曝光、多次
    倾斜曝光、背面曝光、用长波长光源以及减少
    PGA浓度[8 - 10] 。这些方法都有其局限性
    和缺点,如成本太高、应用受结构限制、无法进
    行后续的电铸工艺、曝光时间太长等。
    本文通过对工艺参数的研究,发现微结
    构线宽变化并不是通常所认为的线性变化,
    希望通过工艺参数之间的优化组合,调
    节顶部和底部的线宽大小,在保证表面线宽
    变化很小的前提下,得到一个垂直或正角的
    SU28 胶构型,以解决其作为模具的困难,简
    化和方便后续工艺。
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    4、光刻胶的分类

    光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能,将光刻胶作涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构,光刻胶可以分为三种类型。 液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力(Surface Tension),使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。

    5、光刻机是什么意思

    光刻机(Mask Aligner) 又名掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻,所以叫 Mask Alignment System.
    一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。
    Photolithography(光刻) 意思是用光来制作一个图形(工艺);
    在硅片表面匀胶,然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。
    光刻机的品牌众多,根据采用不同技术路线的可以归纳成如下几类
    高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种,分辨率通常在十几纳米至几微米之间,高端光刻机号称世界上最精密的仪器,世界上已有7000万美金的光刻机。高端光刻机堪称现代光学工业之花,其制造难度之大,全世界只有少数几家公司能够制造。国外品牌主要以荷兰ASML(镜头来自德国),日本Nikon(intel曾经购买过Nikon的高端光刻机)和日本Canon三大品牌为主。
    位于我国上海的SMEE已研制出具有自主知识产权的投影式中端光刻机,形成产品系列初步实现海内外销售。目前正在进行其他各系列产品的研发制作工作。
    生产线和研发用的低端光刻机为接近、接触式光刻机,分辨率通常在数微米以上。主要有德国SUSS、美国MYCRO NXQ4006、以及中国品牌。

    6、世界上能做出高端光刻机的国家有哪些

    目前世界上最大的光刻机制造商是荷兰ASML;1984年ASML从飞利浦独立出来,专门致力于研发光刻技术,得益于近乎完美的德国机械工艺以及世界顶级光学厂商德国蔡司镜头,再加上美国提供的光源,ASML迅速发展,到如今占到了全球光刻机总销售收入的78%;而随着ASML的壮大,高端光刻机市场基本被垄断,Intel的晶圆工厂生产成本也日益增加,所以Intel大力扶持日本尼康以平衡ASML,而ASML独步全球的工艺水平和稳定性能最终击败尼康成为高端光刻机的王者,尼康则开始面向低端领域;如今全球最大的晶圆代工厂台积电是ASML最大的股东,三星,Intel也占有ASML的股份,垄断地位已经形成。

    7、上海微电子装备的光刻机能达到什么水平?

    600系列光刻机——IC前道制造基于先进的扫描光刻机平台技术,提供覆盖前道IC制造90nm节点以上大规模生产所需,包含90nm、130nm和280nm等不同分辨率节点要求的ArF、KrF及i-line步进扫描投影光刻机。该系列光刻机可兼容200mm和300mm硅片。

    500系列光刻机——IC后道、MEMS制造
    基于先进的步进光刻机平台技术,提供覆盖后道IC封装、MEMS/NEMS制造的步进投影光刻机。该系列光刻机采用ghi线的高功率汞灯作为曝光光源,其先进的逐场调焦调平技术对薄胶和厚胶工艺,以及3D-TSV结构等具有良好的自动适应性,并通过采用具有专利的图像智能识别技术,无需专门设计特殊对准标记。该系列设备具有高分辨率、高套刻精度和高生产率等一系列优点,可满足用户对设备高性能、高可靠性、低使用成本(COO)的生产需求。

    300系列光刻机——LED/MEMS/Poer Devices制造
    300系列光刻机面向亚微米2-6英寸晶圆的光刻市场需求,支持亚微米节点条件下的各种半导体光刻制程,特别包括LED图形化蓝宝石衬底生产工艺、LED芯片电极曝光、MEMS和Poer Devices生产工艺。
    200系列光刻机—AM-OLED显示屏制造
    200系列投影光刻机综合采用先进的步进光刻机平台技术和扫描光刻机平台技术,专用于新一代AM-OLED显示屏的TFT电路制造。该系列光刻机不仅可用于基板尺寸为200mm × 200mm的工艺研发线,也可用于基板尺寸为 G2.5(370mm × 470mm)到G5.5(1300mm × 1500mm)的AM-OLED显示屏量产线。

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